818-bb التحيز المتلقي البصرية

818-bb سلسلة التحيز photodetectors هي فعالة من حيث التكلفة أدوات التشخيص لمجموعة متنوعة من التطبيقات عالية السرعة ، مثل عرض q-switching mode-locked , أو التضمين بسرعة إشارات الليزر ، ليزر بيكو ثانية المحاذاة .

السيليكون ، الأشعة فوق البنفسجية السيليكون ، الغاليوم ، InGaAs الإصدارات

وقت الارتفاع يصل إلى 35 PS

مكبر للصوت كاشف يمكن أن توفر مكاسب تصل إلى 26 ديسيبل

اقتران الألياف البصرية الخيار يجعل محاذاة أسهل

على النقيض	نموذج
	818-BB-21التحيز photodetector ، 300-1100 نانومتر ، السيليكون ، 1.2 غيغاهرتز
	818-BB-27التحيز photodetector ، 200-1100nm ، السيليكون ، 200 ميغاهيرتز
	818-BB-30التحيز photodetector ، 1000-1600nm InGaAs , 2 غيغاهرتز
	818-BB-31التحيز photodetector ، 1000-1600nm InGaAs , 1.5 غيغاهرتز ، نادي جاك
	818-BB-35التحيز photodetector ، 1000-1650 نانومتر ، InGaAs ، 12.5 غيغاهرتز
	818-BB-36التحيز photodetector 1475-2100 نانومتر ، تمديد InGaAs ، 12.5 غيغاهرتز
	818-BB-36Fالتحيز photodetector 1475-2100 نانومتر ، تمديد InGaAs ، 12.5 غيغاهرتز ، نادي / اتحاد الوطنيين الكونغوليين
	818-BB-40التحيز photodetector ، 300-1100nm ، السيليكون ، 25 ميغاهيرتز
	818-BB-45التحيز photodetector ، 400-900nm ، الغاليوم ، 12.5 غيغاهرتز
	818-BB-45AFتضخيم التحيز photodetector ، AC اقتران ، 400-900nm ، الغاليوم ، 9 غيغاهرتز ، نادي / اتحاد الوطنيين الكونغوليين

مواصفات المنتج

Silicon Photodetectors

نموذج	818-BB-21	818-BB-27	818-BB-40
كاشف المواد	Silicon	UV Enhanced Silicon	Silicon
الجهد التحيز / التحيز	9 V	24 V	24 V
نوع كاشف	PIN	PIN	PIN
كاشف القطر	0.4 mm	2.55 mm	4.57 mm
زاوية الاستقبال	س	س	س
نطاق الطول الموجي	300-1100 nm	200-1100 nm	350-1100 nm
عرض النطاق الترددي 3 ديسيبل
وقت الارتفاع	<300 ps	3ns	<30 ns
درجة الاستجابة	0.47 A/W @ 830 nm	0.56 A/W @ 830 nm	0.6 A/W @ 830 nm
موصل الإخراج	BNC	BNC	BNC
NEP	<0.01 pW/√Hz	<0.1 pW/√Hz	<0.09 pW/√Hz
تيار التشبع	3 mA	2.5 mA	2 mA
مفرق السعة	<1.5 pF	<25 pF	<45 pF
عكس انهيار الجهد	20 V	150 V	50 V
نوع الخيط	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

GaAs and InGaAs Photodetectors

نموذج	818-BB-30	818-BB-31	818-BB-35	818-BB-45	818-BB-51
كاشف المواد	InGaAs	InGaAs	InGaAs	GaAs	Extended InGaAs
الجهد التحيز / التحيز	6 V	6 V	6 V	3 V	3 V
نوع كاشف	PIN	PIN	PIN	PIN	PIN
كاشف القطر	0.1 mm	0.1 mm	0.032 mm		0.040 mm
زاوية الاستقبال	س	س	س	س	س
نطاق الطول الموجي	1000-1600 nm	1000-1600 nm	1000-1650 nm	500-890 nm	830-2150 nm
عرض النطاق الترددي 3 ديسيبل	DC to 2 GHz	DC to 2 GHz	DC to 15 GHz	DC to 12.5 GHz	DC to 10 GHz
وقت الارتفاع	175 ps	175 ps	25 ps	30 ps	28 ps
درجة الاستجابة	0.8 A/W @ 1300 nm	0.9 A/W @ 1300 nm	0.88 A/W @ 1550 nm	0.53 A/W @ 830 nm	1-3 أ / ث @ 2.0 ميكرومتر
موصل الإخراج	BNC	BNC	SMA	SMA	SMA
NEP	<0.1 pW/√Hz	0.1 pW/√Hz	<0.04 pW/√Hz	<0.02 pW/√Hz at 830 nm	<0.44 pW/√Hz @ 2000 nm
تيار التشبع	5 mA	10 mA	10 mA	10 mA
مفرق السعة	<0.75 pF	<1.25 pF	<0.12 pF	<0.3 pF
عكس انهيار الجهد	25 V	25 V	25 V	30 V
نوع الخيط	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

سمة

نسخة السيليكون والأرجوانيعززت السيليكون الخارجيطبعات

818-BB-20、 و - 40 - 21 تتكون من مساحة حرة ، مساحة صغيرة ، مساحة كبيرة للكشف عن السيليكون ، وقت الارتفاع يتراوح بين 300 ps-1.5 م . وبصرف النظر عن 818-bb-40 ، كل جهاز يتضمن المدمج في إمدادات الطاقة التحيز ، تتألف من معيار 3 الخامس بطارية ليثيوم و 50 أوم ملاحة موصل الإخراج . البطارية يمكن استبدالها بسهولة ، عندما لا تكون قيد الاستعمال ، وخدمة الحياة من البطارية يمكن أن تكون طويلة من خلال قطع الاتصال بين الكاشف و الذبذبات المدخلات . 818-bb-40 يأتي مع 24 فولت امدادات الطاقة الخارجية . 818-BB-27تعزيزولذلك ، نماذج المنفعة هي مناسبة جدا ل Nd : YAG ، Nd : YLF أو غيرها من الثانية : زجاج الليزر التوافقية الرابعة و الهيجان الليزر . وعلاوة على ذلك ، فإن مساحة واسعة فعالة وسريعة وقت الاستجابة جعلها عالمية للكشف عن التحيز في نطاق الترددات من 200 إلى 1100 نانومتر . من أجل الحصول على استجابة سريعة ، هذا الكاشف مجهز 24 فولت امدادات الطاقة الخارجية .

UV-Enhanced Silicon Free Space Detector

The 818-BB-27 consists of a silicon detector with an enhanced ultraviolet response, making it well suited for the fourth harmonic Nd:YAG, YLF or Glass Lasers and Excimer Lasers. Additionally, its large active area and fast response time make it an excellent general-purpose biased detector for the 200 to 1100 nm wavelength region. To attain its fast response, this detector comes with a 24 VDC external power supply.

InGaAs Free Space Detectors

The 818-BB-30, -31, and -35
consist of free-space, small and large area
InGaAs detectors, with rise times ranging from 300 ps to 1.5 ns for covering the 1000-1600 nm wavelength range. Each unit includes a built-in bias supply consisting of standard 3 V lithium cells and a 50 ohm BNC connector output. The 818-BB-51 features an extended InGaAs photodetector with a wavelength range of
1475–2100 nm.

الغاليوم InGaAs الإصدارات

818-BB-30、 إن - 31 - 35 - 45 و - 51 تتكون من مساحة حرة ، صغيرة وكبيرة المساحة الغاليوم أو InGaAs الكاشف . كل جهاز يتكون من المدمج في التحيز امدادات الطاقة القياسية 3 الخامس بطارية ليثيوم و 50 أوم ملاحة موصل الإخراج . البطارية يمكن استبدالها بسهولة ، عندما لا تكون قيد الاستعمال ، وخدمة الحياة من البطارية يمكن أن تكون طويلة من خلال قطع الاتصال بين الكاشف و الذبذبات المدخلات .

تركيب وصلة بصرية

8-32 الخيوط ثقب في الجزء السفلي من 818-bb متحيزة المتلقي البصرية يمكن استخدامها لتركيب البصرية موصل .

دفع الانتباه إلى حماية البيئة والتنمية المستدامة

هذه المجسات هي عرضة للإفراج عن الكهرباء الساكنة ( البيئة والتنمية المستدامة ) . عند تفكيك وتشغيل هذه الأجهزة ، واستخدام تدابير حماية البيئة والتنمية المستدامة ، مثل fk-strap . . . . . . .

وقت الارتفاع يصل إلى 25 PS

818-bb-35 و 818-bb-45 photodiodes كاشف وحدات توفير منخفضة التكلفة حل سريع جدا قياس 12.5 غيغاهرتز عرض النطاق الترددي . هذه المجسات هي مناسبة للاستخدام في q-switching ليزر فائق السرعة الناتج التحليل الذي يتطلب وقت الارتفاع أقل من 25 ملاحظة ( 818-bb-45 أقل من 30 ملاحظة ) . هذه المجسات أيضا استخدام بطاريات الليثيوم 3 الخامس ( التي تم توفيرها ) .